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氮化镓对开关电源效率提升

发表时间:2019-04-22 00:00

GaN 是什么?

革新电力工程行业
氮化镓(或 GaN)正在为电力工程行业带来变革,它实现了以往硅 MOSFET 从未达到的高速度、高效率和更高功率密度。
GaN 固有的较低栅极和输出电容支持以兆赫兹级的开关频率运行,同时降低栅极和开关损耗,从而提高效率。不同于硅,GaN 不需要体二极管,因而消除了反向恢复损耗,并进一步提高了效率、减少了开关节点振铃和 EMI。


GaN 功率氮化镓解决方案电路板

GaN 功率氮化镓解决方案电路板

通过集成技术实现最高性能
我们的 GaN 系列解决方案集成了高速栅极驱动器、EMI 控制、过热和过流保护,同时具有 100ns 的响应时间。集成式器件使布局得以优化,能够最大限度地减少寄生电感、提高 dv/dt 抗扰性 (CMTI),并缩小布板空间。   

广泛的产品系列为几乎所有应用提供了易于使用的解决方案,以便于充分利用 GaN 技术的优势。
GaN 功率集成

GaN 功率集成

对器件和系统级可靠性充满信心
我们作为半导体技术行业的领导者,在将可靠的半导体产品推向市场方面拥有长期经验。我们的 GaN 器件所采用的 GaN 技术通过了 2,000 万小时的实际应用硬开关器件可靠性加速测试,可在器件和系统级别为工程师提供可靠性。



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